Transistor bipolaire KSD1021

Caractéristiques électriques du transistor KSD1021

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 130 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92S

Brochage du KSD1021

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1021 peut avoir un gain en courant continu de 120 à 400. Le gain en courant continu du KSD1021-G est compris entre 200 à 400, celui du KSD1021-Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD1021

Le transistor PNP complémentaire du KSD1021 est le KSB811.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1021

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1021 par 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD789 ou KSD471AC.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com