Transistor bipolaire 2SD789
Caractéristiques électriques du transistor 2SD789
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 800
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD789
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD789
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