Transistor bipolaire KSD1021-G

Caractéristiques électriques du transistor KSD1021-G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 130 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92S

Brochage du KSD1021-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1021-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD1021 est compris entre 120 à 400, celui du KSD1021-Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD1021-G

Le transistor PNP complémentaire du KSD1021-G est le KSB811-G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1021-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1021-G par 2SC2500, 2SC2500-A, 2SC2500-B, 2SC2500-C, 2SC2500-D, 2SC4408, 2SC4604, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616, 2SD1616-K, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1835, 2SD1835-T, 2SD789, KSC2500, KSC2500-A, KSC2500-B, KSC2500-C, KSC2500-D, KSC5019, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A, KSD1616A-G, KSD471AC ou KSD471ACG.
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