Caractéristiques électriques du transistor KSB810-Y
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
Gain de courant (hfe): 120 à 240
Fréquence de transition minimum: 160 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92S
Brochage du KSB810-Y
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB810-Y peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KSB810 est compris entre 70 à 400, celui du KSB810-G entre 200 à 400, celui du KSB810-O entre 70 à 140.
Complémentaire du transistor KSB810-Y
Le transistor NPN complémentaire du KSB810-Y est le KSD1020-Y.