Transistor bipolaire STB1277

Caractéristiques électriques du transistor STB1277

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du STB1277

Le STB1277 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor STB1277 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 320. Le gain en courant continu du STB1277-O est compris entre 100 à 200, celui du STB1277-Y entre 160 à 320.

Version SMD du transistor STB1277

Le 2SA1203 (SOT-89), FMMT549 (SOT-23) et KTA1663 (SOT-89) est la version SMD du transistor STB1277.

Substituts et équivalents pour le transistor STB1277

Vous pouvez remplacer le transistor STB1277 par 2SA1273, 2SA928A, 2SB1229, 2SB892, 2SB985, KSA928A, KTA1273 ou KTA1282.
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