Caractéristiques électriques du transistor KSB811-Y
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
Gain de courant (hfe): 120 à 240
Fréquence de transition minimum: 110 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92S
Brochage du KSB811-Y
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB811-Y peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KSB811 est compris entre 70 à 400, celui du KSB811-G entre 200 à 400, celui du KSB811-O entre 70 à 140.
Complémentaire du transistor KSB811-Y
Le transistor NPN complémentaire du KSB811-Y est le KSD1021-Y.