Transistor bipolaire KSB1116S-L

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 300 à 600
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le KSB1116S-L est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB1116S-L peut avoir un gain en courant continu de 300 à 600. Le gain en courant continu du KSB1116S est compris entre 135 à 600, celui du KSB1116S-G entre 200 à 400, celui du KSB1116S-Y entre 135 à 270.Le 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) et SMBTA55 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSB1116S-L.Vous pouvez remplacer le transistor KSB1116S-L par 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, KSB1116 ou KSB1116-L.