Transistor bipolaire KSB1116-L
Caractéristiques électriques du transistor KSB1116-L
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 300 à 600
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SB1116-U transistor
Brochage du KSB1116-L
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB1116-L
Version SMD du transistor KSB1116-L
Transistor KSB1116-L en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1116-L
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