Transistor bipolaire KD501

Caractéristiques électriques du transistor KD501

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 20 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 15
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +155 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du KD501

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor KD501

Vous pouvez remplacer le transistor KD501 par 2N3771, 2N3771G, 2N3772, 2N3772G, 2N5301, 2N5302, 2N5302G, 2N5303, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6282, 2N6282G, 2N6283, 2N6283G, 2SC2434, 2SD797, BDX69, BDX69A, KD502, KD503, MJ11012, MJ11012G, MJ11028, MJ11028G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.
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