Transistor bipolaire KD501
Caractéristiques électriques du transistor KD501
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 20 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 15
- Fréquence de transition minimum: 2 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +155 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du KD501
Substituts et équivalents pour le transistor KD501
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