Transistor bipolaire 2N6282G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6282G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 20 A
  • Dissipation de puissance maximum: 160 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 18000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N6282G est la version sans plomb du transistor 2N6282

Brochage du 2N6282G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6282G

Le transistor PNP complémentaire du 2N6282G est le 2N6285G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6282G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6282G par 2N6282, 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, KD502 ou KD503.
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