Transistor bipolaire 2N5685

Caractéristiques électriques du transistor 2N5685

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 300 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5685

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5685

Le transistor PNP complémentaire du 2N5685 est le 2N5683.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5685

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5685 par 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.

Version sans plomb

Le transistor 2N5685G est la version sans plomb du 2N5685.
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