Transistor bipolaire 2N5302G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 60
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le 2N5302G est la version sans plomb du transistor 2N5302

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5302G par 2N5302, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.