Transistor bipolaire 2N5685G

Caractéristiques électriques du transistor 2N5685G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 300 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N5685G est la version sans plomb du transistor 2N5685

Brochage du 2N5685G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5685G

Le transistor PNP complémentaire du 2N5685G est le 2N5683G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5685G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5685G par 2N5685, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 ou MJ14002G.
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