Transistor bipolaire BDX64C

Caractéristiques électriques du transistor BDX64C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 117 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX64C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX64C

Le transistor NPN complémentaire du BDX64C est le BDX65C.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX64C

Vous pouvez remplacer le transistor BDX64C par BDX66C, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 ou MJ11033G.
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