Transistor bipolaire BDX68B

Caractéristiques électriques du transistor BDX68B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -25 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX68B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX68B

Le transistor NPN complémentaire du BDX68B est le BDX69B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX68B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX68B par BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 ou MJ11033G.
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