Transistor bipolaire MJ11015G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11015G est la version sans plomb du transistor MJ11015

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11015G est le MJ11016G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11015G par MJ11015, MJ11033 ou MJ11033G.