Transistor bipolaire BDX62B

Caractéristiques électriques du transistor BDX62B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 7 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX62B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX62B

Le transistor NPN complémentaire du BDX62B est le BDX63B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX62B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX62B par BDX62C, BDX64B, BDX64C, BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G, MJ4032, TIP607 ou TIP647.
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