Transistor bipolaire BDT41AF

Caractéristiques électriques du transistor BDT41AF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41A transistor

Brochage du BDT41AF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT41AF

Le transistor PNP complémentaire du BDT41AF est le BDT42AF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT41AF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT41AF par BD707, BD709, BD711, BD907, BD909, BD911, BDT41A, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D ou TIP42D.
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