Transistor bipolaire BDT30BF

Caractéristiques électriques du transistor BDT30BF

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30B transistor

Brochage du BDT30BF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT30BF

Le transistor NPN complémentaire du BDT30BF est le BDT29BF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT30BF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT30BF par 2N6475, 2N6476, BD710, BD712, BD910, BD912, BDT30CF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D45C10, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF ou TIP42CG.
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