Transistor bipolaire BDT42C

Caractéristiques électriques du transistor BDT42C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT42C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT42C

Le transistor NPN complémentaire du BDT42C est le BDT41C.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT42C

Vous pouvez remplacer le transistor BDT42C par BD712, BD912, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, TIP42C, TIP42CF ou TIP42CG.
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