Transistor bipolaire BD879

Caractéristiques électriques du transistor BD879

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 9 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD879

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD879

Le transistor PNP complémentaire du BD879 est le BD880.

Substituts et équivalents pour le transistor BD879

Vous pouvez remplacer le transistor BD879 par 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O ou KSD1692-Y.
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