Transistor bipolaire KSD1692-G
Caractéristiques électriques du transistor KSD1692-G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 150 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 15 W
- Gain de courant (hfe): 8000 à 20000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1692-K transistor
Brochage du KSD1692-G
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor KSD1692-G
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