Transistor bipolaire BD676G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -45 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le BD676G est la version sans plomb du transistor BD676

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD676G est le BD675G.Vous pouvez remplacer le transistor BD676G par 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.