Transistor bipolaire 2N6035G
Caractéristiques électriques du transistor 2N6035G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -4 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 750 à 15000
- Fréquence de transition minimum: 25 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Le 2N6035G est la version sans plomb du transistor 2N6035
Brochage du 2N6035G
Complémentaire du transistor 2N6035G
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6035G
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