Transistor bipolaire BD676

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -45 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD676 est le BD675.Vous pouvez remplacer le transistor BD676 par 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676A, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.Le transistor BD676G est la version sans plomb du BD676.