Transistor bipolaire BD676A

Caractéristiques électriques du transistor BD676A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD676A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BD676A equivalent circuit

Complémentaire du transistor BD676A

Le transistor NPN complémentaire du BD676A est le BD675A.

Substituts et équivalents pour le transistor BD676A

Vous pouvez remplacer le transistor BD676A par 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.

Version sans plomb

Le transistor BD676AG est la version sans plomb du BD676A.
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