Caractéristiques électriques du transistor 2SD2396-J
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 600 à 1200
Fréquence de transition minimum: 40 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD2396-J
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD2396-J peut avoir un gain en courant continu de 600 à 1200. Le gain en courant continu du 2SD2396 est compris entre 400 à 2000, celui du 2SD2396-H entre 400 à 800, celui du 2SD2396-K entre 1000 à 2000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD2396-J peut n'être marqué que D2396-J.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2396-J