Transistor bipolaire 2SD1047-E

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -40 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1047-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1047 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1047-D entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1047-E peut n'être marqué que D1047-E.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1047-E est le 2SB817-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1047-E par 2SD1047C, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJW3281A ou MJW3281AG.