Transistor bipolaire 2SD1718-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1718-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 180 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD1718-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1718-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1718 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1718-Q entre 60 à 120, celui du 2SD1718-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1718-P peut n'être marqué que D1718-P.

Complémentaire du transistor 2SD1718-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1718-P est le 2SB1163-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1718-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1718-P par 2SD1313, MJL4281A, MJL4281AG, MJW3281A ou MJW3281AG.
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