Transistor bipolaire 2SD1717

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 120 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1717 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1717-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SD1717-Q entre 60 à 120, celui du 2SD1717-S entre 80 à 160.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1717 peut n'être marqué que D1717.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1717 est le 2SB1162.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1717 par 2SD1718, MJW3281A ou MJW3281AG.