Transistor bipolaire 2SB929

Caractéristiques électriques du transistor 2SB929

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB929

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB929 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 250. Le gain en courant continu du 2SB929-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SB929-Q entre 70 à 150.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB929 peut n'être marqué que B929.

Complémentaire du transistor 2SB929

Le transistor NPN complémentaire du 2SB929 est le 2SD1252.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB929

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB929 par 2SB929A, 2SB930 ou 2SB930A.
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