Transistor bipolaire 2SB930A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB930A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB930A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB930A peut avoir un gain en courant continu de 70 à 250. Le gain en courant continu du 2SB930A-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SB930A-Q entre 70 à 150.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB930A peut n'être marqué que B930A.

Complémentaire du transistor 2SB930A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB930A est le 2SD1253A.

Version SMD du transistor 2SB930A

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB930A.
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