Transistor bipolaire 2SB929A
Caractéristiques électriques du transistor 2SB929A
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 35 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 250
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du 2SB929A
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB929A
Version SMD du transistor 2SB929A
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB929A
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com