Transistor bipolaire 2SB930

Caractéristiques électriques du transistor 2SB930

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SB930

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB930 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 250. Le gain en courant continu du 2SB930-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SB930-Q entre 70 à 150.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB930 peut n'être marqué que B930.

Complémentaire du transistor 2SB930

Le transistor NPN complémentaire du 2SB930 est le 2SD1253.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB930

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB930 par 2SB930A.
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