Transistor bipolaire 2SD1252

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1252

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1252

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1252 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 250. Le gain en courant continu du 2SD1252-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SD1252-Q entre 70 à 150, celui du 2SD1252-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1252 peut n'être marqué que D1252.

Complémentaire du transistor 2SD1252

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1252 est le 2SB929.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1252

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1252 par 2SD1252A, 2SD1253 ou 2SD1253A.
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