Transistor bipolaire 2SB775-E

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 60 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 18 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB775-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB775 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB775-D entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB775-E peut n'être marqué que B775-E.Le transistor NPN complémentaire du 2SB775-E est le 2SD895-E.Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB775-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB775-E par 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SA1788, 2SA1788-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB695, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB965, 2SB965-Q, 2SB966, 2SB966-Q, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y ou TIP36CA.