Transistor bipolaire FMMT591Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 300
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor FMMT591Q est marqué "591".Le transistor NPN complémentaire du FMMT591Q est le FMMT491Q.Vous pouvez remplacer le transistor FMMT591Q par FMMT591.