Transistor bipolaire 2SD602A-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD602A-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du 2SD602A-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD602A-R peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du 2SD602A est compris entre 85 à 340, celui du 2SD602A-Q entre 85 à 170, celui du 2SD602A-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD602A-R peut n'être marqué que D602A-R.

Complémentaire du transistor 2SD602A-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD602A-R est le 2SB710A-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD602A-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD602A-R par 2SC3325, 2SC3325-Y, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 ou SMBTA06.
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