Caractéristiques électriques du transistor 2SB631-F
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 8 W
Gain de courant (hfe): 160 à 320
Fréquence de transition minimum: 130 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB631-F
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB631-F peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB631 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB631-D entre 60 à 120, celui du 2SB631-E entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB631-F peut n'être marqué que B631-F.
Complémentaire du transistor 2SB631-F
Le transistor NPN complémentaire du 2SB631-F est le 2SD600-F.