Transistor bipolaire 2SD1007

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1007

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1007

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1007 peut avoir un gain en courant continu de 90 à 400. Le gain en courant continu du 2SD1007-HP est compris entre 200 à 400, celui du 2SD1007-HQ entre 135 à 270, celui du 2SD1007-HR entre 90 à 180.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1007 peut n'être marqué que D1007.

Complémentaire du transistor 2SD1007

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1007 est le 2SB806.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1007

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1007 par 2SB806.
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