Transistor bipolaire 2SB806

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 2 W
• Gain de courant (h_fe): 90 à 400
• Fréquence de transition minimum: 75 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB806 peut avoir un gain en courant continu de 90 à 400. Le gain en courant continu du 2SB806-KP est compris entre 200 à 400, celui du 2SB806-KQ entre 135 à 270, celui du 2SB806-KR entre 90 à 180.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB806 peut n'être marqué que B806.Le transistor NPN complémentaire du 2SB806 est le 2SD1007.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB806 par 2SD1007.