Caractéristiques électriques du transistor 2SB549-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 160 à 320
Fréquence de transition minimum: 70 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB549-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB549-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB549 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB549-Q entre 100 à 200, celui du 2SB549-R entre 60 à 120, celui du 2SB549-S entre 40 à 80.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB549-P peut n'être marqué que B549-P.
Complémentaire du transistor 2SB549-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SB549-P est le 2SD415-P.
Version SMD du transistor 2SB549-P
Le 2SB806 (SOT-89) et 2SD1007 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB549-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB549-P