Caractéristiques électriques du transistor 2SB1142-T
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -2.5 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB1142-T
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1142-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1142 est compris entre 100 à 400, celui du 2SB1142-R entre 100 à 200, celui du 2SB1142-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1142-T peut n'être marqué que B1142-T.
Complémentaire du transistor 2SB1142-T
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1142-T est le 2SD1682-T.
Version SMD du transistor 2SB1142-T
Le 2SB1123 (SOT-89) et 2SB1123-T (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1142-T.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1142-T