Transistor bipolaire 2SB1115A-YQ
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1115A-YQ
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 2 W
- Gain de courant (hfe): 135 à 270
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du 2SB1115A-YQ
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1115A-YQ
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