Transistor bipolaire 2SB1115A-YQ

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1115A-YQ

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1115A-YQ

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1115A-YQ peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SB1115A est compris entre 135 à 400, celui du 2SB1115A-YP entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1115A-YQ peut n'être marqué que B1115A-YQ.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1115A-YQ

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1115A-YQ par 2SA1364, BSR31 ou BSR33.
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