Transistor bipolaire 2SD1615-GM

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1615-GM

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1615-GM

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1615-GM peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SD1615 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD1615-GK entre 300 à 600, celui du 2SD1615-GL entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1615-GM peut n'être marqué que D1615-GM.

Complémentaire du transistor 2SD1615-GM

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1615-GM est le 2SB1115-YM.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1615-GM

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1615-GM par 2SC3444, 2SD1615A, 2SD1615A-GQ, 2SD1622, 2SD1623, 2SD1624, 2SD874A, BSR41, BSR43 ou KTC4378.
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