Transistor bipolar TIP112G
Características del transistor TIP112G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 50 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
- El TIP112G es la versión sin plomo del transistor TIP112
Diagrama de pines del TIP112G
Equivalent circuit
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor TIP112G
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