Transistor bipolar TIP112G

Características del transistor TIP112G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El TIP112G es la versión sin plomo del transistor TIP112

Diagrama de pines del TIP112G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

TIP112G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del TIP112G es el TIP117G.

Sustitución y equivalentes para el transistor TIP112G

Puede sustituir el TIP112G por el 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1194, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1828, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP112, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T o TTD1415B.
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