Transistor bipolar NTE219
Características del transistor NTE219
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
- Disipación de Potencia Máxima: 115 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 70
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del NTE219
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor NTE219
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