Transistor bipolar NTE219

Características del transistor NTE219

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 115 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 70
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del NTE219

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del NTE219 es el NTE130.

Sustitución y equivalentes para el transistor NTE219

Puede sustituir el NTE219 por el 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6030, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6436, 2N6437, 2N6438, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ15016, MJ15016G, MJ2955, MJ2955A o MJ2955G.
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