Transistor bipolar 2N5883G
Características del transistor 2N5883G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -25 A
- Disipación de Potencia Máxima: 200 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El 2N5883G es la versión sin plomo del transistor 2N5883
Diagrama de pines del 2N5883G
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5883G
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