Transistor bipolar MJ14003G

Características del transistor MJ14003G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -60 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ14003G es la versión sin plomo del transistor MJ14003

Diagrama de pines del MJ14003G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ14003G es el MJ14002G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ14003G

Puede sustituir el MJ14003G por el MJ14003.
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