Transistor bipolar MJ14001G

Características del transistor MJ14001G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -60 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ14001G es la versión sin plomo del transistor MJ14001

Diagrama de pines del MJ14001G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ14001G es el MJ14000G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ14001G

Puede sustituir el MJ14001G por el MJ14001, MJ14003 o MJ14003G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com