Transistor bipolar MJ14001G
Características del transistor MJ14001G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -60 A
- Disipación de Potencia Máxima: 300 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 100
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El MJ14001G es la versión sin plomo del transistor MJ14001
Diagrama de pines del MJ14001G
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ14001G
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